ROHM bringt ein neues Gehäuse mit Kühlung auf der Oberseite für SiC-MOSFETs auf den Markt, das eine hohe Wärmeableitung mit Hochspannungsfähigkeit verbindet

15.06.2026

KYOTO, Japan, 15. Juni 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat das TSC3PAK-Gehäuse (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) für SiC-MOSFETs entwickelt. Durch den Einsatz einer Wärmeableitungsstruktur an der Oberseite, bei der die Wärmeableitungsfläche auf der Oberseite des Gehäuses angeordnet ist, ermöglicht das neue Produkt eine automatisierte Bestückung und erreicht dabei eine Wärmeableitungsleistung, die mit der herkömmlicher Durchsteckgehäuse (TO-247-4L) vergleichbar ist. Dies trägt zu einer höheren Effizienz und Zuverlässigkeit in Stromwandlerschaltungen für Bordladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren bei, die in xEVs (Elektrofahrzeugen) zum Einsatz kommen.

Produktübersicht – Seite zum TSC3PAK-Paket: https://www.rohm.com/products/sic-power-devices/sic-mosfet?page=1&PS_PackageShortCode=TSC3PAK#parametricSearch 

Abbildungen: Produktmerkmale

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Bei xEVs erstreckt sich der Einsatz von SiC-Bauelementen mittlerweile nicht mehr nur auf Hauptwechselrichter, sondern umfasst auch Stromumwandlungsschaltungen wie On-Board-Ladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren, um die Ladegeschwindigkeit zu erhöhen und die Reichweite zu verlängern.

Bauteile mit Durchsteckmontage erfordern manuelle Montageprozesse, und aufgrund ihrer Bauform ist es schwierig, ein flacheres Gehäuseprofil zu erzielen. SiC-Bauelemente für die Oberflächenmontage, die für die automatisierte Bestückung geeignet sind, finden zunehmend Verbreitung. Um diese Probleme zu lösen, bietet das neue TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit der von Durchstecktechnologien wie TO-247 vergleichbar ist – und das in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse.

Das neue Gehäuse verfügt über die von ROHM entwickelte Rillenstruktur, die eine große Kriechstrecke von 6,66 mm gewährleistet. Dadurch ist es in der Lage, eine Wechselstrom-Spitzenspannung von 1200 V in einer Umgebung der Verschmutzungsklasse 2 zu bewältigen und gleichzeitig die Kompatibilität mit marktüblichen Produkten zu gewährleisten.

Produkte, die das neue Gehäuse verwenden, sind mit SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM ausgestattet und zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie schnelle Schalteigenschaften aus. Dadurch werden die Schaltverluste bei der Stromumwandlung deutlich reduziert, was zu einer höheren Anwendereffizienz und einem geringeren Stromverbrauch beiträgt.

Die Serienproduktion begann im Juni 2026. Weitere Informationen finden Sie auf der Kontaktseite der ROHM-Website.

Abbildungen: Produktpalette

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Anwendungsbeispiele

– Automobiltechnik: Bordladegeräte (OBCs), elektrische Kompressoren

– Industrieausrüstung: PV-Wechselrichter, Server-Netzteile

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-06-09_news_tsc3pak&defaultGroupId=false 

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202606030283-O1-iA2h7u9F.pdf 

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202606030283/_prw_PI3fl_r8DUbz72.jpg 

Offizielle Website: https://www.rohm.com/

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Biomarker im Speichel: Zürcher Studie ebnet Weg zu Schnelltest gegen Übermüdung

15.06.2026

Forschende der Universität Zürich (UZH) haben einen Ansatz entwickelt, mit dem sich akuter Schlafmangel im Speichel nachweisen lässt. In einer aktuellen Studie identifizierte das Team um Thomas Krämer vom Institut für Rechtsmedizin eine Art metabolischen Fingerabdruck, der starke Übermüdung zuverlässig anzeigt. Die Resultate wurden im Fachmagazin „Journal of Proteome Research“ veröffentlicht und von Krämer als „Meilenstein für die forensische Forschung“ bezeichnet.

Für die Untersuchung rekrutierten die Wissenschaftler 20 gesunde junge Männer, die normalerweise sieben bis neun Stunden pro Nacht schlafen. Die Probanden durchliefen drei Szenarien: eine Nacht komplett ohne Schlaf, vier Nächte mit jeweils zwei Stunden weniger Schlaf als üblich sowie eine Kontrollbedingung mit rund acht Stunden Schlaf. Nach jeder Phase wurden Speichelproben entnommen und mittels hochauflösender Massenspektrometrie analysiert. Mithilfe von maschinellem Lernen suchte das Team nach molekularen Mustern, die spezifisch auf akuten Schlafentzug hinweisen.

Die Auswertung ergab, dass starke Übermüdung rund zehn Prozent aller Biomoleküle im Speichel beeinflusst. Aus zehntausenden gemessenen Molekülen filterten die Forschenden schließlich zehn spezifische Biomarker heraus, die als Signatur für akuten Schlafmangel dienen könnten. Diese erstmals im Speichel identifizierten direkten Marker für Übermüdung unter alltagsnahen Bedingungen gelten aus Sicht der UZH als Grundlage für neue diagnostische Verfahren.

Langfristig zielt das Projekt auf die Entwicklung eines Schnelltests, der vor Ort eingesetzt werden könnte – etwa im Strassenverkehr, in sicherheitskritischen Berufen oder bei der forensischen Abklärung von Unfällen. Die Forschenden betonen jedoch, dass es sich derzeit um eine Grundlagenstudie mit einer kleinen und homogenen Probandengruppe handelt. Bevor ein solcher Speicheltest in der Praxis Anwendung findet, seien umfangreichere Untersuchungen mit grösseren und vielfältigeren Bevölkerungsgruppen erforderlich.